| 型号 |
订购 |
价格(不含税)
以实际报价为准 |
制造商 |
通道方式 | 通道类型 | 配置 | 最大门源电压 | 最大连续漏极电流 | 最大漏极源极电阻 | 典型门极充电 @ Vgs | 典型断开时延 | 典型接通时延 | 输出功率 | 供应商电流 |
ER - Transistor, MOSFET, N Channel, SMT, Si9410DY |
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个 |
Vishay |
增强功能 | N | 单路;四漏极,双源 | ±20V | 7A | 0.03Ω | - | 46ns | 14ns | - | |
晶体管, MOSFET, IRF2807 |
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个 |
International Rectifier |
增强功能 | N | 单路 | ±20V | 82A | 0.013Ω | - | 49ns | 13ns | - | |
晶体管,MOSFET,N 沟道,表面安装,IRFR3910 |
|
个
1+ RMB20.30
25+ RMB14.51
100+ RMB10.80
250+ RMB9.62
500+ RMB9.56 |
International Rectifier |
增强功能 | N | 单路 | ±20V | 16A | 0.115Ω | - | 37ns | 6.4ns | - | |
晶体管,MOSFET,N 沟道,隔离封装,IRFI830G |
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个
1+ RMB18.05
10+ RMB10.56
50+ RMB9.62
100+ RMB8.56 |
Vishay |
增强功能 | N | 单路 | ±20V | 3.1A | 1.5Ω | - | 42ns | 8.2ns | - | |
晶体管,MOSFET,P 沟道,表面安装,IRLML5103 |
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个 |
International Rectifier |
增强功能 | P | 单路 | ±20V | 0.76A | 0.6Ω | - | 23ns | 10ns | - | |
HEXFET IRLL014PBF |
|
个
1+ RMB4.78
25+ RMB4.77
100+ RMB4.76
250+ RMB4.74
500+ RMB4.73 |
Vishay |
增强功能 | N | 单路;双漏极 | ±10V | 2.7A | 0.2Ω | - | 17ns | 9.3ns | - | |
晶体管,MOSFET,N 沟道,表面安装,全集成偏置,SOT363,B1206 |
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/个 (每包:5个)
5+ RMB9.44
25+ RMB6.73
100+ RMB5.19
250+ RMB5.06
500+ RMB4.93 |
NXP |
增强功能 | N | 双路;双栅极 | - | 0.03A | - | - | - | - | - | |
晶体管,MOSFET,N 沟道,表面安装,部分集成偏置,SOT363,BF1102R |
|
/个 (每包:5个)
5+ RMB9.44
25+ RMB6.73
100+ RMB5.19
250+ RMB5.06
500+ RMB4.93 |
NXP |
增强功能 | N | 双 | ±6V | 0.04A | - | - | - | - | - | |
晶体管,MOSFET,表面安装,IRF7313 |
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毎管：95 个
1+ RMB2,950.00
4+ RMB2,655.00
10+ RMB2,360.00 |
International Rectifier |
增强功能 | N | 双路;双漏极 | ±20V | 6.5A | 0.029Ω | - | 26ns | 8.1ns | - | |
晶体管,MOSFET,N 沟道,7.4A,80V,SOIC,IRF7493 |
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/个 (每包:5个)
5+ RMB13.81
25+ RMB9.50
100+ RMB8.26
250+ RMB7.85
500+ RMB7.49 |
International Rectifier |
增强功能 | N | 单路;四漏极,三源 | ±20V | 9.3A | 0.015Ω | - | 30ns | 8.3ns | - | |
晶体管,射频,MOSFET,N 沟道,BLF242 |
|
个
1+ RMB414.18
25+ RMB330.40
100+ RMB310.34
250+ RMB303.26
500+ RMB295.00 |
NXP |
增强功能 | N | 单路;双源 | ±20V | 1A | 5Ω | - | - | - | 5 | |
晶体管,MOSFET,IRF644S |
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个
1+ RMB17.94
25+ RMB14.40
100+ RMB12.98 |
Vishay |
增强功能 | N | 单路 | ±20V | 14A | 0.28Ω | - | 53ns | 11ns | - | |
晶体管,HEXFET,-150V,-0.7A,2.4 |
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/个 (每包:10个)
10+ RMB4.84
50+ RMB3.54
200+ RMB2.60
500+ RMB2.54
1000+ RMB2.48 |
International Rectifier |
增强功能 | P | 单路;四漏极,三源 | ±20V | 0.7A | 2.4Ω | - | 14ns | 12ns | - | |
Transistor,MOSFET,N Channel,IR |
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个 |
Vishay |
增强功能 | N | 单路 | ±30V | 6.2A | 1.2Ω | - | 27ns | 12ns | - | |
晶体管,MOSFET,P 通道,RFG60P05E |
|
个 |
Intersil |
增强功能 | P | 单路 | ±20V | 60A | 0.03Ω | - | 65ns | 20ns | - | |
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